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- Artikelnummer:
- RJS6004WDPK-00#T0
- Hersteller:
- Renesas Electronics America
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 600V 20A. Diodes - General Purpose, Power, Switching SiC SBD - 600V/20A/10A, TO-3PSG pkg
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - spezieller Zweck ...
- Wettbewerbsvorteil:
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RJS6004WDPK-00#T0 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RJS6004WDPK-00#T0
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 600V 20A
Serie :
-
Teilestatus :
Last Time Buy
Diodenkonfiguration :
1 Pair Common Cathode
Diodentyp :
Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) :
10A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.8V @ 10A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
15ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
10µA @ 600V
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package :
TO-3P
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