HGT1S10N120BNS Preise (USD) [28534Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- HGT1S10N120BNS
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 35A 298W TO263AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - SCRs - Module and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor HGT1S10N120BNS elektronische Komponenten. HGT1S10N120BNS kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu HGT1S10N120BNS haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
HGT1S10N120BNS Produkteigenschaften
Artikelnummer :
HGT1S10N120BNS
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
IGBT-Typ :
NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
35A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
80A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 10A
Leistung max :
298W
Energie wechseln :
320µJ (on), 800µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
23ns/165ns
Testbedingung :
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package :
TO-263AB
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