FDH333TR Preise (USD) [3572247Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDH333TR
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Low Leakage
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Thyristoren - TRIACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDH333TR elektronische Komponenten. FDH333TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDH333TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDH333TR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDH333TR
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
125V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
200mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.15V @ 300mA
Geschwindigkeit :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
3nA @ 125V
Kapazität @ Vr, F :
6pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package :
DO-35
Betriebstemperatur - Übergang :
175°C (Max)
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- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18