Toshiba Semiconductor and Storage - RN2313(TE85L,F)

KEY Part #: K6527866

RN2313(TE85L,F) Preise (USD) [7551Stück Lager]

  • 3,000 pcs$0.01910
  • 6,000 pcs$0.01661
  • 15,000 pcs$0.01412
  • 30,000 pcs$0.01329
  • 75,000 pcs$0.01246
  • 150,000 pcs$0.01107

Artikelnummer:
RN2313(TE85L,F)
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaillierte Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Transistoren - JFETs, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - Thyristoren and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage RN2313(TE85L,F) elektronische Komponenten. RN2313(TE85L,F) kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu RN2313(TE85L,F) haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN2313(TE85L,F) Produkteigenschaften

Artikelnummer : RN2313(TE85L,F)
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : PNP - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : 47 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : -
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 120 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang : 200MHz
Leistung max : 100mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SC-70, SOT-323
Supplier Device Package : USM

Sie könnten auch interessiert sein an