Wenn Ihr Standort nicht aufgeführt ist, wählen Sie eine der folgenden Möglichkeiten:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Wenn Ihr Standort nicht aufgeführt ist, wählen Sie eine der folgenden Möglichkeiten:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Zuhause
  2. Produkte
  3. Integrierte Schaltungen (ICs)
  4. Erinnerung
  5. W947D2HBJX5E TR

Winbond Electronics - W947D2HBJX5E TR

KEY Part #: K942479

W947D2HBJX5E TR Preise (USD) [47612Stück Lager]

  • 1 pcs$1.02726
  • 2,500 pcs$1.02215
Artikelnummer:
W947D2HBJX5E TR
Hersteller:
Winbond Electronics
Detaillierte Beschreibung:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 128M mDDR, x32, 200MHz T&R
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Schnittstelle - Telekommunikation, Clock / Timing - Verzögerungszeilen, PMIC - Ladegeräte, Schnittstelle - Sensor, kapazitive Berührung, Logik - Universalbus-Funktionen, PMIC - Energieverwaltung - spezialisiert, PMIC - Aktuelle Verordnung / Management and Logik - Paritätsgeneratoren und Prüfer ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Winbond Electronics W947D2HBJX5E TR elektronische Komponenten. W947D2HBJX5E TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu W947D2HBJX5E TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W947D2HBJX5E TR Produkteigenschaften

Artikelnummer : W947D2HBJX5E TR
Hersteller : Winbond Electronics
Beschreibung : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße : 128Mb (4M x 32)
Taktfrequenz : 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 5ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -25°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 90-TFBGA
Supplier Device Package : 90-VFBGA (8x13)

Neuesten Nachrichten

Winbond DRAM Product Portfolio
Winbond NOR Product Portfolio
Sie könnten auch interessiert sein an
  • NDS63PT9-16IT

    Insignis Technology Corporation

    IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 86TSOP.

  • IS25WP128F-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 128Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • IS25WP064A-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 64Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • W25Q128FWPIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON.

  • IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M SPI 20MHZ 8SOIC. SRAM 2Mb 256Kx8 20MHz 2.2-3.6V Serial SRAM

  • IS25WP032A-JBLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOP.

Heiße Teile