Winbond Electronics - W947D2HBJX5E TR

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Artikelnummer:
W947D2HBJX5E TR
Hersteller:
Winbond Electronics
Detaillierte Beschreibung:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 128M mDDR, x32, 200MHz T&R
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Schnittstelle - Controller, PMIC - Ladegeräte, Logik - Komparatoren, Clock / Timing - Programmierbare Timer und Oszilla, PMIC - Hot-Swap-Controller, Speicher - Batterien, Logik - Zähler, Teiler and PMIC - Aktuelle Verordnung / Management ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W947D2HBJX5E TR Produkteigenschaften

Artikelnummer : W947D2HBJX5E TR
Hersteller : Winbond Electronics
Beschreibung : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße : 128Mb (4M x 32)
Taktfrequenz : 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 5ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -25°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 90-TFBGA
Supplier Device Package : 90-VFBGA (8x13)

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