STGYA120M65DF2 Preise (USD) [7805Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- STGYA120M65DF2
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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STGYA120M65DF2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
STGYA120M65DF2
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S
Serie :
*
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
NPT, Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
160A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
360A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
1.95V @ 15V, 120A
Leistung max :
625W
Energie wechseln :
1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
420nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
66ns/185ns
Testbedingung :
400V, 120A, 4.7 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
202ns
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-3 Exposed Pad
Supplier Device Package :
MAX247™
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