Artikelnummer :
GPP100MS-E3/54
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 1KV 10A P600
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
1000V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.05V @ 10A
Geschwindigkeit :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
5.5µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
5µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F :
110pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
P600, Axial
Supplier Device Package :
P600
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 175°C