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- Artikelnummer:
- IRLR3636PBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
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- Haltbarkeit:
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- Chip von:
- Hongkong
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IRLR3636PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRLR3636PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
49nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3779pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
143W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D-Pak
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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