ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46DR16320E-3DBLA1

KEY Part #: K938113

IS46DR16320E-3DBLA1 Preise (USD) [19236Stück Lager]

  • 1 pcs$2.38216

Artikelnummer:
IS46DR16320E-3DBLA1
Hersteller:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Detaillierte Beschreibung:
IC DRAM 512M PARALLEL 333MHZ. DRAM 512M 1.8V 32Mx16 Ext Temp DDR2
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Logik - Gates und Inverter, PMIC - Vorgesetzte, PMIC - Beleuchtung, Vorschaltgerät-Controller, Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array), Speicher - Controller, Embedded - DSP (digitale Signalprozessoren), Schnittstelle - Encoder, Decoder, Konverter and Logik - Schieberegister ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320E-3DBLA1 elektronische Komponenten. IS46DR16320E-3DBLA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IS46DR16320E-3DBLA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46DR16320E-3DBLA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IS46DR16320E-3DBLA1
Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 333MHZ
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR2
Speichergröße : 512Mb (32M x 16)
Taktfrequenz : 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 450ps
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 84-TFBGA
Supplier Device Package : 84-WBGA (8x12.5)

Neuesten Nachrichten

Sie könnten auch interessiert sein an
  • GD25S512MDFIGR

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

    NOR FLASH.

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58NVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)