Artikelnummer :
IR2011STR
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
HI/LO SIDE DRVR 8SOIC
Angetriebene Konfiguration :
Half-Bridge
Gate-Typ :
N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung :
10V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH :
0.7V, 2.2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) :
1A, 1A
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) :
200V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) :
35ns, 20ns
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOIC