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- Artikelnummer:
- 2SK3666-3-TB-E
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- JFET N-CH 10MA 200MW 3CP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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2SK3666-3-TB-E Produkteigenschaften
Artikelnummer :
2SK3666-3-TB-E
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS) :
-
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) :
1.2mA @ 10V
Stromaufnahme (Id) - max :
10mA
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id :
180mV @ 1µA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4pF @ 10V
Widerstand - RDS (Ein) :
200 Ohms
Leistung max :
200mW
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package :
3-CP
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