NSVMMUN2217LT1G Preise (USD) [1499461Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NSVMMUN2217LT1G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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NSVMMUN2217LT1G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NSVMMUN2217LT1G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V
Widerstand - Basis (R1) :
4.7 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
35 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
250mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
500nA
Frequenz - Übergang :
-
Leistung max :
246mW
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package :
SOT-23-3 (TO-236)
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