Toshiba Semiconductor and Storage - RN2110MFV,L3F

KEY Part #: K6526341

RN2110MFV,L3F Preise (USD) [2968934Stück Lager]

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Artikelnummer:
RN2110MFV,L3F
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaillierte Beschreibung:
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN2110MFV,L3F Produkteigenschaften

Artikelnummer : RN2110MFV,L3F
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : PNP - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : 4.7 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : -
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 120 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang : -
Leistung max : 150mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-723
Supplier Device Package : VESM

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