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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R86400E-5BLI-TR

KEY Part #: K936947

IS43R86400E-5BLI-TR Preise (USD) [15486Stück Lager]

  • 1 pcs$2.95896
Artikelnummer:
IS43R86400E-5BLI-TR
Hersteller:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Detaillierte Beschreibung:
IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ. DRAM DDR,512M,2.5V,RoHs 200MHz,64Mx8,IT
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: PMIC - Spannungsregler - Spezialanwendungen, PMIC - Voll- und Halbbrückentreiber, IC-Chips, PMIC - Power Distribution Switches, Lasttreiber, Uhr / Timing - IC-Batterien, Logik - Signalschalter, Multiplexer, Decoder, Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) m and PMIC - Power over Ethernet (PoE) -Controller ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-5BLI-TR elektronische Komponenten. IS43R86400E-5BLI-TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IS43R86400E-5BLI-TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43R86400E-5BLI-TR Produkteigenschaften

Artikelnummer : IS43R86400E-5BLI-TR
Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR
Speichergröße : 512Mb (64M x 8)
Taktfrequenz : 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 700ps
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 2.3V ~ 2.7V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 60-TFBGA
Supplier Device Package : 60-TFBGA (13x8)

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