EMB10T2R Preise (USD) [919129Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- EMB10T2R
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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EMB10T2R Produkteigenschaften
Artikelnummer :
EMB10T2R
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V
Widerstand - Basis (R1) :
2.2 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
500nA
Frequenz - Übergang :
250MHz
Leistung max :
150mW
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package :
EMT6
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