GeneSiC Semiconductor - FST83100M

KEY Part #: K6476664

FST83100M Preise (USD) [5685Stück Lager]

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Artikelnummer:
FST83100M
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE MODULE 100V 80A D61-3M.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor FST83100M elektronische Komponenten. FST83100M kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FST83100M haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FST83100M Produkteigenschaften

Artikelnummer : FST83100M
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE MODULE 100V 80A D61-3M
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Cathode
Diodentyp : Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 80A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 840mV @ 80A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1.5mA @ 20V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : D61-3M
Supplier Device Package : D61-3M
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