Toshiba Semiconductor and Storage - DF2B6.8M1ACT,L3F

KEY Part #: K6034716

DF2B6.8M1ACT,L3F Preise (USD) [1855583Stück Lager]

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Artikelnummer:
DF2B6.8M1ACT,L3F
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaillierte Beschreibung:
TVS DIODE 5V 20V CST2. ESD Suppressors / TVS Diodes ESD Bi-Directional Protection Diode
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Lichtschutz, Sicherungshalter, Rückstellbare PTC-Sicherungen, TVS - Dioden, Leistungsschalter, TVS - Mischtechnik, TVS - Varistoren, MOVs and Thermische Abschaltungen (thermische Sicherungen) ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8M1ACT,L3F elektronische Komponenten. DF2B6.8M1ACT,L3F kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DF2B6.8M1ACT,L3F haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF2B6.8M1ACT,L3F Produkteigenschaften

Artikelnummer : DF2B6.8M1ACT,L3F
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : TVS DIODE 5V 20V CST2
Serie : -
Teilestatus : Active
Art : Zener
Unidirektionale Kanäle : -
Bidirektionale Kanäle : 1
Spannung - Reverse Standoff (Typ) : 5V (Max)
Spannung - Durchschlag (min.) : 6V
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp : 20V
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) : 2.5A (8/20µs)
Leistung - Spitzenimpuls : 50W
Stromleitungsschutz : No
Anwendungen : General Purpose
Kapazität bei Frequenz : 0.3pF @ 1MHz
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOD-882
Supplier Device Package : CST2

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