Hersteller :
Texas Instruments
Beschreibung :
IC HIGH CURRENT FET DRVR TO220-5
Angetriebene Konfiguration :
Low-Side
Gate-Typ :
IGBT, N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung :
4.7V ~ 18V
Logikspannung - VIL, VIH :
0.8V, 2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) :
6A, 6A
Eingabetyp :
Inverting, Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) :
-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) :
85ns, 85ns
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220-5