Infineon Technologies - F1225R12KT4GBOSA1

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F1225R12KT4GBOSA1 Preise (USD) [1023Stück Lager]

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Artikelnummer:
F1225R12KT4GBOSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
IGBT MODULE VCES 1200V 25A.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

F1225R12KT4GBOSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : F1225R12KT4GBOSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IGBT MODULE VCES 1200V 25A
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Aufbau : Three Phase Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 25A
Leistung max : 160W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 25A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 1.45nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module