Microsemi Corporation - APTGTQ100A65T1G

KEY Part #: K6533062

APTGTQ100A65T1G Preise (USD) [2260Stück Lager]

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Artikelnummer:
APTGTQ100A65T1G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
POWER MODULE - IGBT.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGTQ100A65T1G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTGTQ100A65T1G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : POWER MODULE - IGBT
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : -
Aufbau : Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100A
Leistung max : 250W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 6nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : SP1