RN1426TE85LF Preise (USD) [989644Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RN1426TE85LF
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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RN1426TE85LF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RN1426TE85LF
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
800mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V
Widerstand - Basis (R1) :
1 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
90 @ 100mA, 1V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
250mV @ 1mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
500nA
Frequenz - Übergang :
300MHz
Leistung max :
200mW
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package :
S-Mini
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