Infineon Technologies - SIDC02D60F6X1SA1

KEY Part #: K6449688

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    Artikelnummer:
    SIDC02D60F6X1SA1
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - JFETs, Dioden - RF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies SIDC02D60F6X1SA1 elektronische Komponenten. SIDC02D60F6X1SA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIDC02D60F6X1SA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SIDC02D60F6X1SA1 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : SIDC02D60F6X1SA1
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER
    Serie : -
    Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A (DC)
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.6V @ 3A
    Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : -
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 27µA @ 600V
    Kapazität @ Vr, F : -
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : Die
    Supplier Device Package : Sawn on foil
    Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 150°C

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