IDT, Integrated Device Technology Inc - 70V639S12BFI

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Artikelnummer:
70V639S12BFI
Hersteller:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Detaillierte Beschreibung:
IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA. SRAM 128Kx18 STD-PWR 3.3V DUAL-PORT RAM
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Schnittstelle - Analogschalter, Multiplexer, Demul, Logik - Latches, Speicher - Konfigurationsproms für FPGAs, PMIC - Power Distribution Switches, Lasttreiber, Uhr / Timing - IC-Batterien, Schnittstelle - Signalabschlüsse, PMIC - AC DC Converter, Offline-Umschalter and PMIC - Spannungsregler - Lineare Reglerregler ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

70V639S12BFI Produkteigenschaften

Artikelnummer : 70V639S12BFI
Hersteller : IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung : IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : SRAM
Technologie : SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße : 2.25Mb (128K x 18)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 12ns
Zugriffszeit : 12ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 208-LFBGA
Supplier Device Package : 208-CABGA (15x15)