Toshiba Semiconductor and Storage - HN1D02FU,LF

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HN1D02FU,LF Preise (USD) [1169017Stück Lager]

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Artikelnummer:
HN1D02FU,LF
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaillierte Beschreibung:
DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6. Diodes - General Purpose, Power, Switching US6-M8,
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - JFETs, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Arrays and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage HN1D02FU,LF elektronische Komponenten. HN1D02FU,LF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu HN1D02FU,LF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HN1D02FU,LF Produkteigenschaften

Artikelnummer : HN1D02FU,LF
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 2 Pair Common Cathode
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 80V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 100mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 100mA
Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) : 4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 500nA @ 80V
Betriebstemperatur - Übergang : 125°C (Max)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : US6

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