Infineon Technologies - D650N06TXPSA1

KEY Part #: K6432116

D650N06TXPSA1 Preise (USD) [1661Stück Lager]

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Artikelnummer:
D650N06TXPSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 600V 650A.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

D650N06TXPSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : D650N06TXPSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 650A
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 650A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 950mV @ 450A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 20mA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : DO-200AA, A-PUK
Supplier Device Package : -
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 180°C

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