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GeneSiC Semiconductor - MURT10020

KEY Part #: K6468845

MURT10020 Preise (USD) [1067Stück Lager]

  • 1 pcs$40.55691
  • 50 pcs$27.12140
Artikelnummer:
MURT10020
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER. Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A200P/141R
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Leistungstreibermodule and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MURT10020 elektronische Komponenten. MURT10020 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MURT10020 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURT10020 Produkteigenschaften

Artikelnummer : MURT10020
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : -
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 100A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 50A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 75ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 25µA @ 50V
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 175°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Three Tower
Supplier Device Package : Three Tower
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