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  5. GB05SLT12-252

GeneSiC Semiconductor - GB05SLT12-252

KEY Part #: K6455234

GB05SLT12-252 Preise (USD) [26818Stück Lager]

  • 1 pcs$1.90116
  • 5,025 pcs$1.89170
Artikelnummer:
GB05SLT12-252
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor GB05SLT12-252 elektronische Komponenten. GB05SLT12-252 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu GB05SLT12-252 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB05SLT12-252 Produkteigenschaften

Artikelnummer : GB05SLT12-252
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
Diodentyp : Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 2A
Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 50µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F : 260pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package : TO-252
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C
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