NGTD21T65F2WP Preise (USD) [36539Stück Lager]
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- 240 pcs$1.07008
- Artikelnummer:
- NGTD21T65F2WP
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays and Thyristoren - Thyristoren ...
- Wettbewerbsvorteil:
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NGTD21T65F2WP Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NGTD21T65F2WP
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
-
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
200A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 45A
Leistung max :
-
Energie wechseln :
-
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
-
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
-
Testbedingung :
-
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
Die
Supplier Device Package :
Die
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