Infineon Technologies - IKW50N65H5AXKSA1

KEY Part #: K6424705

IKW50N65H5AXKSA1 Preise (USD) [15597Stück Lager]

  • 1 pcs$2.64233
  • 240 pcs$2.62610

Artikelnummer:
IKW50N65H5AXKSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Programmierbare Einheit and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IKW50N65H5AXKSA1 elektronische Komponenten. IKW50N65H5AXKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IKW50N65H5AXKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IKW50N65H5AXKSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IKW50N65H5AXKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
Teilestatus : Not For New Designs
IGBT-Typ : Trench
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 150A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 50A
Leistung max : 270W
Energie wechseln : 450µJ (on), 160µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 116nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 21ns/173ns
Testbedingung : 400V, 25A, 12 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 58ns
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : PG-TO247-3