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- Artikelnummer:
- EMD29T2R
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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EMD29T2R Produkteigenschaften
Artikelnummer :
EMD29T2R
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100mA, 500mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V, 12V
Widerstand - Basis (R1) :
1 kOhms, 10 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
500nA
Frequenz - Übergang :
250MHz, 260MHz
Leistung max :
120mW
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package :
EMT6
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