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Global Power Technologies Group - GHIS200A120S3B1

KEY Part #: K6532026

GHIS200A120S3B1 Preise (USD) [1303Stück Lager]

  • 4 pcs$153.21467
Artikelnummer:
GHIS200A120S3B1
Hersteller:
Global Power Technologies Group
Detaillierte Beschreibung:
SI IGBT SIC SBD HYBRID MODULES.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Global Power Technologies Group GHIS200A120S3B1 elektronische Komponenten. GHIS200A120S3B1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu GHIS200A120S3B1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GHIS200A120S3B1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : GHIS200A120S3B1
Hersteller : Global Power Technologies Group
Beschreibung : SI IGBT SIC SBD HYBRID MODULES
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Art : IGBT
Aufbau : Half Bridge
Aktuell : 400A
Stromspannung : 1.2kV
Spannung - Isolation : 2500Vrms
Paket / fall : Power Module

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