Toshiba Semiconductor and Storage - RN1961FE(TE85L,F)

KEY Part #: K6529784

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    Artikelnummer:
    RN1961FE(TE85L,F)
    Hersteller:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Detaillierte Beschreibung:
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Dioden - Gleichrichter - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RN1961FE(TE85L,F) Produkteigenschaften

    Artikelnummer : RN1961FE(TE85L,F)
    Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
    Beschreibung : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    Transistortyp : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
    Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
    Widerstand - Basis (R1) : 4.7 kOhms
    Widerstand - Emitterbasis (R2) : 4.7 kOhms
    Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 30 @ 10mA, 5V
    Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
    Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 100nA (ICBO)
    Frequenz - Übergang : 250MHz
    Leistung max : 100mW
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : SOT-563, SOT-666
    Supplier Device Package : ES6

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