Infineon Technologies - FZ1800R12HP4B9HOSA2

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FZ1800R12HP4B9HOSA2 Preise (USD) [100Stück Lager]

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Artikelnummer:
FZ1800R12HP4B9HOSA2
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MODULE IGBT IHMB190-2.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Zener - Single, Dioden - Zener - Arrays and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ1800R12HP4B9HOSA2 Produkteigenschaften

Artikelnummer : FZ1800R12HP4B9HOSA2
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MODULE IGBT IHMB190-2
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench
Aufbau : Single Switch
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 2700A
Leistung max : 10500W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.05V @ 15V, 1800A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 110nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module

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