Hersteller :
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 200V 6A DO4
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
6A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.4V @ 6A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
200ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
15µA @ 50V
Befestigungsart :
Chassis, Stud Mount
Paket / fall :
DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package :
DO-4
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 150°C