IGB50N65S5ATMA1 Preise (USD) [43143Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IGB50N65S5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT PRODUCTS.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Transistoren - IGBTs - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IGB50N65S5ATMA1 elektronische Komponenten. IGB50N65S5ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IGB50N65S5ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IGB50N65S5ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IGB50N65S5ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IGBT PRODUCTS
Serie :
TrenchStop™ 5
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
200A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
1.7V @ 15V, 50A
Leistung max :
270W
Energie wechseln :
1.23mJ (on), 740µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
20ns/139ns
Testbedingung :
400V, 50A, 8.2 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package :
PG-TO263-3
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