Infineon Technologies - DD250S65K3NOSA1

KEY Part #: K6472790

DD250S65K3NOSA1 Preise (USD) [53Stück Lager]

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Artikelnummer:
DD250S65K3NOSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
IGBT MODULE VCES 6500V 250A.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Leistungstreibermodule, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - TRIACs and Thyristoren - Thyristoren ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DD250S65K3NOSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : DD250S65K3NOSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IGBT MODULE VCES 6500V 250A
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 2 Independent
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 6500V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : -
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 3.5V @ 250A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 370A @ 3600V
Betriebstemperatur - Übergang : -50°C ~ 125°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : A-IHV130-6

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