ON Semiconductor - FJV3110RMTF

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Artikelnummer:
FJV3110RMTF
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FJV3110RMTF Produkteigenschaften

Artikelnummer : FJV3110RMTF
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 40V
Widerstand - Basis (R1) : 10 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : -
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang : 250MHz
Leistung max : 200mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package : SOT-23-3 (TO-236)

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