Artikelnummer :
FJV3110RMTF
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Transistortyp :
NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
40V
Widerstand - Basis (R1) :
10 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang :
250MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package :
SOT-23-3 (TO-236)