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Toshiba Memory America, Inc. - TC58BVG1S3HBAI4

KEY Part #: K938201

TC58BVG1S3HBAI4 Preise (USD) [19544Stück Lager]

  • 1 pcs$2.34452
Artikelnummer:
TC58BVG1S3HBAI4
Hersteller:
Toshiba Memory America, Inc.
Detaillierte Beschreibung:
2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Speicher - Konfigurationsproms für FPGAs, Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array), PMIC - Anzeigetreiber, Embedded - CPLDs (Komplexe programmierbare Logikge, Logik - Übersetzer, Pegelumsetzer, Logik - Latches, IC-Chips and Clock / Timing - Taktpuffer, Treiber ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Toshiba Memory America, Inc. TC58BVG1S3HBAI4 elektronische Komponenten. TC58BVG1S3HBAI4 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TC58BVG1S3HBAI4 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BVG1S3HBAI4 Produkteigenschaften

Artikelnummer : TC58BVG1S3HBAI4
Hersteller : Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung : 2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE
Serie : Benand™
Teilestatus : Active
Speichertyp : Non-Volatile
Speicherformat : FLASH
Technologie : FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße : 2Gb (256M x 8)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 25ns
Zugriffszeit : -
Speicherschnittstelle : -
Spannungsversorgung : 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 63-VFBGA
Supplier Device Package : 63-TFBGA (9x11)

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