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Microsemi Corporation - APTDF200H120G

KEY Part #: K6539865

APTDF200H120G Preise (USD) [1333Stück Lager]

  • 1 pcs$32.49151
  • 100 pcs$32.38495
Artikelnummer:
APTDF200H120G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 235A SP6.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - RF, Transistoren - spezieller Zweck and Thyristoren - TRIACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTDF200H120G elektronische Komponenten. APTDF200H120G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTDF200H120G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTDF200H120G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTDF200H120G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : BRIDGE RECT 1P 1.2KV 235A SP6
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Single Phase
Technologie : Standard
Spannung - Peak Reverse (Max) : 1.2kV
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 235A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 3V @ 200A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 150µA @ 1200V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP6
Supplier Device Package : SP6

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