IDT, Integrated Device Technology Inc - 71V416L12YG8

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Artikelnummer:
71V416L12YG8
Hersteller:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Detaillierte Beschreibung:
IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ. SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

71V416L12YG8 Produkteigenschaften

Artikelnummer : 71V416L12YG8
Hersteller : IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung : IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : SRAM
Technologie : SRAM - Asynchronous
Speichergröße : 4Mb (256K x 16)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 12ns
Zugriffszeit : 12ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Supplier Device Package : 44-SOJ
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