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GeneSiC Semiconductor - MSRTA20080(A)D

KEY Part #: K6468552

MSRTA20080(A)D Preise (USD) [1076Stück Lager]

  • 1 pcs$40.21856
  • 18 pcs$27.59312
Artikelnummer:
MSRTA20080(A)D
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER. Rectifiers 800V 200A Forward
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Programmierbare Einheit and Dioden - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MSRTA20080(A)D elektronische Komponenten. MSRTA20080(A)D kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MSRTA20080(A)D haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MSRTA20080(A)D Produkteigenschaften

Artikelnummer : MSRTA20080(A)D
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Series Connection
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 200A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 200A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 800V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Three Tower
Supplier Device Package : Three Tower
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