ON Semiconductor - HGTG18N120BN

KEY Part #: K6423051

HGTG18N120BN Preise (USD) [15140Stück Lager]

  • 1 pcs$2.73574
  • 450 pcs$2.72212

Artikelnummer:
HGTG18N120BN
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 1200V 54A 390W TO247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor HGTG18N120BN elektronische Komponenten. HGTG18N120BN kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu HGTG18N120BN haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HGTG18N120BN Produkteigenschaften

Artikelnummer : HGTG18N120BN
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : IGBT 1200V 54A 390W TO247
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
IGBT-Typ : NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 54A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 165A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 18A
Leistung max : 390W
Energie wechseln : 800µJ (on), 1.8mJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 165nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 23ns/170ns
Testbedingung : 960V, 18A, 3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : TO-247