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Microsemi Corporation - JANTXV1N5623US

KEY Part #: K6433604

JANTXV1N5623US Preise (USD) [5525Stück Lager]

  • 1 pcs$8.61998
  • 102 pcs$8.57709
Artikelnummer:
JANTXV1N5623US
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A. Rectifiers Rectifier
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Leistungstreibermodule ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JANTXV1N5623US elektronische Komponenten. JANTXV1N5623US kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JANTXV1N5623US haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5623US Produkteigenschaften

Artikelnummer : JANTXV1N5623US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
Serie : Military, MIL-PRF-19500/429
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1000V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.6V @ 3A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 500ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 500nA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F : 15pF @ 12V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, A
Supplier Device Package : D-5A
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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