Artikelnummer :
TH58NYG3S0HBAI6
Hersteller :
Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung :
IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA
Speichertyp :
Non-Volatile
Technologie :
FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße :
8Gb (1G x 8)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
25ns
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
67-VFBGA (6.5x8)