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WeEn Semiconductors - BYV30JT-600PQ

KEY Part #: K6440506

[3795Stück Lager]

    Artikelnummer:
    BYV30JT-600PQ
    Hersteller:
    WeEn Semiconductors
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P. Rectifiers BYV30JT-600PQ/TO3PF/STANDARD M
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf WeEn Semiconductors BYV30JT-600PQ elektronische Komponenten. BYV30JT-600PQ kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BYV30JT-600PQ haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BYV30JT-600PQ Produkteigenschaften

    Artikelnummer : BYV30JT-600PQ
    Hersteller : WeEn Semiconductors
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P
    Serie : -
    Teilestatus : Active
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 30A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 30A
    Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 65ns
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
    Kapazität @ Vr, F : -
    Befestigungsart : Through Hole
    Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3
    Supplier Device Package : TO-3P
    Betriebstemperatur - Übergang : 175°C (Max)
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