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GeneSiC Semiconductor - MBR20030CTR

KEY Part #: K6468985

MBR20030CTR Preise (USD) [1317Stück Lager]

  • 1 pcs$32.85075
  • 25 pcs$22.84681
Artikelnummer:
MBR20030CTR
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 30V 200A Schottky Recovery
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Leistungstreibermodule, Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MBR20030CTR elektronische Komponenten. MBR20030CTR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MBR20030CTR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR20030CTR Produkteigenschaften

Artikelnummer : MBR20030CTR
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Anode
Diodentyp : Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 30V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 200A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 650mV @ 100A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5mA @ 20V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Twin Tower
Supplier Device Package : Twin Tower
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