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Microsemi Corporation - APT75GN60LDQ3G

KEY Part #: K6422192

APT75GN60LDQ3G Preise (USD) [7445Stück Lager]

  • 1 pcs$5.53519
  • 10 pcs$4.98079
  • 25 pcs$4.53798
  • 100 pcs$4.09520
  • 250 pcs$3.76317
  • 500 pcs$3.43113
Artikelnummer:
APT75GN60LDQ3G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 600V 155A 536W TO264.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT75GN60LDQ3G elektronische Komponenten. APT75GN60LDQ3G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT75GN60LDQ3G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT75GN60LDQ3G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT75GN60LDQ3G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : IGBT 600V 155A 536W TO264
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 155A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 225A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 1.85V @ 15V, 75A
Leistung max : 536W
Energie wechseln : 2500µJ (on), 2140µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 485nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 47ns/385ns
Testbedingung : 400V, 75A, 1 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-264-3, TO-264AA
Supplier Device Package : TO-264 [L]

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