Vishay Semiconductor Diodes Division - BZT52C8V2-G3-18

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Artikelnummer:
BZT52C8V2-G3-18
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BZT52C8V2-G3-18 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BZT52C8V2-G3-18
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Spannung - Zener (Nom) (Vz) : 8.2V
Toleranz : ±5%
Leistung max : 410mW
Impedanz (max.) (Zzt) : 4.5 Ohms
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100nA @ 6V
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOD-123
Supplier Device Package : SOD-123

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