IPAW70R600CEXKSA1 Preise (USD) [99466Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPAW70R600CEXKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 700V 10.5A TO220-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - RF and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPAW70R600CEXKSA1 elektronische Komponenten. IPAW70R600CEXKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPAW70R600CEXKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPAW70R600CEXKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPAW70R600CEXKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO220-3
Serie :
CoolMOS™ CE
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 210µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
474pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
86W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220-3-31 Full Pack
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
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