IXYS - IXTD3N60P-2J

KEY Part #: K6400783

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    Artikelnummer:
    IXTD3N60P-2J
    Hersteller:
    IXYS
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 600.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTD3N60P-2J elektronische Komponenten. IXTD3N60P-2J kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTD3N60P-2J haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXTD3N60P-2J Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IXTD3N60P-2J
    Hersteller : IXYS
    Beschreibung : MOSFET N-CH 600
    Serie : PolarHV™
    Teilestatus : Last Time Buy
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.9 Ohm @ 1.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 50µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9.8nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 411pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 70W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : Die
    Paket / fall : Die

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