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- Artikelnummer:
- IXTD3N60P-2J
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTD3N60P-2J elektronische Komponenten. IXTD3N60P-2J kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTD3N60P-2J haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXTD3N60P-2J Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTD3N60P-2J
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600
Serie :
PolarHV™
Teilestatus :
Last Time Buy
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.9 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9.8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
411pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
70W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
Die
Paket / fall :
Die
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